IT之家 1 月 21 日音书，韩媒 MoneyToday 当地时分昨日默示，三星电子已将其 1c nm DRAM 内存配置的良率里程碑时分从 2024 年底推迟至 2025 年 6 月，而这一变化可能会影响到三星对 HBM4 内存的策划。

　　三星电子原见地在 2024 年 12 月将 1c nm 制程 DRAM 的良率提高至 70%，达到扫尾配置责任、参加量产阶段所需的水平。但在内容情况中，三星虽于前年底生效制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，举座良率却无法得志条款。

　　三星上代 1b nm 内存于 2022 年 10 月完成配置、2023 年 5 月量产；若是 1c nm 的配置扫尾时分定于本年中，那么量产就要落到 2025 年底，两代 DRAM 工艺间的停止会来到约 2.5 年，这昭彰长于 1.5 年的业界一般配置周期。

　　另一方面，三星电子在 DRAM 内存限制的两大竞争敌手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月晓喻 1c nm 配置生效，而好意思光里面的见地是在本年 4 月完成配置；三星很可能成为终末一家官宣 1c nm DRAM 的三大原厂。

　　1c nm DRAM 自身的推迟也将影响到后续内存居品的程度，尤其是在三星祈望通过其重夺 HBM 商场结合地位的 HBM4 上。三星此前见地在 2025 年内量产基于 1c nm DRAM 和 4nm 逻辑芯片的 HBM4，以朝上制程取得竞争上风。

　　业内音书东谈主士默示开云体育(中国)官方网站，三星电子也在对 1c nm DRAM 的计算进行调遣，并尽可能地加速确惟恐间。